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CM200DU-24H三菱IGBT模塊
CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
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三菱IGBT模塊CM100TL-24NF
三菱IGBT模塊CM100TL-24NF，北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售CM100TL-24NF；三菱6單元IGBT模塊
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三菱IGBT模塊CM200RL-24NF
三菱IGBT模塊CM200RL-24NF，北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售CM200RL-24NF；三菱6單元IGBT模塊
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三菱IGBT模塊CM200TL-24NF
三菱IGBT模塊CM200TL-24NF，北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售CM200TL-24NF；三菱6單元IGBT模塊
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三菱IGBT模塊CM600HU-24F
三菱IGBT模塊CM600HU-24F，三菱單管IGBT模塊CM600HU-24F，北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷(xiāo)售CM600HU-24F
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三菱IGBT模塊CM600DY-24S
三菱IGBT模塊CM600DY-24S；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷(xiāo)售IGBT模塊CM600DY-24S；日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM600DY-24S；大功率變頻器常用IGBT模塊CM600DY-24S
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三菱IGBT模塊CM300DY-24J
三菱IGBT模塊CM300DY-24J；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷(xiāo)售IGBT模塊CM300DY-24J；日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM300DY-24J；大功率變頻器常用IGBT模塊CM300DY-24J
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三菱IGBT模塊CM600DY-24H
三菱IGBT模塊CM600DY-24H；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷(xiāo)售IGBT模塊CM600DY-24H；日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM600DY-24H；大功率變頻器常用IGBT模塊CM600DY-24H
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三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF
三菱CM1400DU-24NF北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N
三菱CM1200E4C-34N北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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CM900DU-24NF三菱IGBT模塊
三菱CM900DU-24NF北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM900DU-24NF；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM300DY-28H
三菱CM300DY-28H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM300DY-28H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DY-34A
三菱CM400DY-34A北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-34A；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DY-34H
三菱CM400DY-34H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-34H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DU-34KA
三菱CM400DU-34KA北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DU-34KA；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DY-50H
三菱CM400DY-50HH北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-50H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM400DY-66H
三菱CM400DY-66H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-66H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM600DY-34H
三菱CM600DY-34H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM600DY-34H；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F
三菱CM800E3UA-24FF北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F
三菱CM800E2UA-24F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F；IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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